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IFM光電傳感器,IFM光電傳感器,IFM光電傳感器
點擊次數(shù):1222 更新時間:2012-04-23

IFM光電傳感器,IFM光電傳感器,IFM光電傳感器/39529839/39529830:單榮兵
在介紹IFM光電傳感器 原理的基礎(chǔ)上,我們主要討論光電池的原理及其應(yīng)用。 1、光電傳感器的原理 光電傳感器(光電開關(guān))是光電接近開關(guān)的簡稱,般是由光源、光通路、光電元件三 部分組成的。 光電傳感器是種利用光電子應(yīng)用技術(shù), 將光信號轉(zhuǎn)換成電信號而進(jìn)行非電量 參數(shù)檢測的傳感器,具有這種功能的材料稱為光敏材料,做成的器件則稱為光敏器件。而光 敏元件和光電傳感器是光電元件中的核心元件, 是光電系統(tǒng)的重要組成部分, 主要包括光敏 材料制作的探測器件、光電二極管和光電倍增管、利用內(nèi)光電效應(yīng)的光導(dǎo)管、以及應(yīng)用光生 電勢效應(yīng)的光敏二極管、光敏三極管、光電池等。 光電傳感器的的物理基礎(chǔ)就是光電效應(yīng)。且光電效應(yīng)包括外光電效應(yīng)和內(nèi)光電效應(yīng)。 外光電效應(yīng)是在光線作用下, 電子逸出物體表面向外發(fā)射稱外光電效應(yīng),IFM光電傳感器,IFM光電傳感器,IFM光電傳感器/39529839/39529830:單榮兵
 即為經(jīng)典歸納 的愛因斯坦光電效應(yīng)方程。 內(nèi)光電效應(yīng)是當(dāng)光照射在物體上,使物體的電阻率 1/R 發(fā)生變化或產(chǎn)生光電動勢的效 應(yīng)。內(nèi)光電效應(yīng)又可以分為以下兩類:是半導(dǎo)體材料受光照時,材料的電導(dǎo)率增大的光電 導(dǎo)效應(yīng);二是不均勻半導(dǎo)體或均勻半導(dǎo)體中的光生電子和空穴,在空間分開形成 PN 結(jié)并產(chǎn) 生電位差的光生伏應(yīng)。 2、光電池的原理及應(yīng)用 光電池的原理及應(yīng)用 光電傳感器作為種檢測裝置,由于它具有精度高、反應(yīng)快、非接觸等優(yōu)點,而且可測 參數(shù)多,傳感器的結(jié)構(gòu)簡單,形式靈活多樣,體積小,已經(jīng)獲得了廣泛的應(yīng)用。我們下面介 紹的光電池就是光電傳感器的個重要應(yīng)用--光電池。 2.1 光電池的原理 光電池的原理 光電池是在光線照射下, 直接將光量轉(zhuǎn)變?yōu)殡妱觿莸墓鈱W(xué)元件。 其工作原理即為光生伏 應(yīng)。因此,在有光線作用時,PN 結(jié)就相當(dāng)于個電壓源。 2.1.1 物理原理 1)材料 ① N 型光電導(dǎo)體:多子是電子,少子是空穴。主要是光子激發(fā)施主能中的電子躍遷 1 到導(dǎo)帶中去,電子為主要載流子,增加了自由電子的濃度。 ② P 型光電導(dǎo)體:多子是空穴,少子是電子。主要是光子激發(fā)價帶中的電子躍遷到受 主能,與受主能中的空穴復(fù)合,而在價帶中留有空穴,作為主要載流子參加導(dǎo)電,增加 了空穴的濃度。 2)光伏效應(yīng) ① PN 結(jié)存在個由 N 指向 P 的內(nèi)建電場。當(dāng)熱平衡時,多數(shù)載流子的擴(kuò)散和少數(shù)載 流子的漂移作用相抵消,沒有電流通過 PN 結(jié)。 ② 當(dāng)有光照射 PN 結(jié)時,樣品對光子的本征和非本征吸收都將產(chǎn)生載流子。但是,由 于 P 區(qū)和 N 區(qū)的多數(shù)載流子都被勢壘阻擋而不能穿過 IFM光電傳感器,IFM光電傳感器,IFM光電傳感器/39529839/39529830:單榮兵
PN 結(jié),因而只有本征吸收所激發(fā)的 少數(shù)載流子才能引起光伏效應(yīng)。 ③ 當(dāng)有光照射時,光線足以透過 P 型半導(dǎo)體入射到 PN 結(jié)。對于能量大于材料禁帶寬 度的光子,由于本征吸收,就可激發(fā)出電子、空穴以及電子--空穴對。P 區(qū)的光生電子和 N 區(qū)的光生空穴以及結(jié)合的電子--空穴對擴(kuò)散到結(jié)電場附近時,在內(nèi)建電場的作用下漂移過 PN 結(jié),電子--空穴對被阻擋層的內(nèi)建電場分開,光生電子和孔穴被分別拉到 N 區(qū)和 P 區(qū), 從而在阻擋層兩側(cè)形成電荷的堆積, 產(chǎn)生內(nèi)建電場的光生電場, 使得內(nèi)建電場的勢壘降低(降 低量等于光生電勢差)。 光生電勢差所產(chǎn)生的光生電流 Ip 方向和結(jié)電流的方向相反, PN 結(jié) 與 反向飽和電流 Io 同向,且 Ip>Io。 2.1.2 結(jié)構(gòu)原理 光電池實質(zhì)是個大面積 PN 結(jié),結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。上電極為柵狀受光電極,柵狀電極 下涂有抗反射膜,用以增加透光、減小反射;下電極是層襯底鋁。當(dāng)光照射 PN 結(jié)的個 面時,電子空穴對迅速擴(kuò)散,在結(jié)電場作用下建立個與光照強度有關(guān)的電動勢,般可產(chǎn) 生 0.2V ~0.6V 電壓,50mA 電流。 圖 1:光電池結(jié)構(gòu) 圖 2:光電池工作原理圖 2.2 光電池的主要特性 光電池的主要特性 2 2.2.1 光譜特性 光電池對不同波長的光靈敏度不同, 3 為硅光電池和硒光電池的光譜特性曲線。 圖 可見, 不同材料的光電池,光譜響應(yīng)的zui大靈敏度峰值所對應(yīng)的入射波長不同。比較可知,硅光電 池可以在很寬的波長范圍內(nèi)應(yīng)用。 圖3:光譜特性曲線 圖4:光電池的光照特性 2.2.2 光照特性 光電池在不同的光強度照射下可以產(chǎn)生不同的光電流和光生電動勢。圖4為光電池的光 照特性曲線。 短路電流在很大范圍內(nèi)與光照度成線性關(guān)系, 而開路電壓與光照度關(guān)系是非線 性關(guān)系,在照度位200lx下趨于飽和。因此,光電池作為測量元件使用時,般不作電壓源 使用,而作為電流源應(yīng)用。/39529839/39529830:單榮兵
 短路電流是指外接負(fù)載RL相對內(nèi)阻很小時的光電流。實驗證明:負(fù)載電阻RL越小,光 電流與光照強度之間的線性關(guān)系越好,線性范圍越寬??傊?,負(fù)載電阻越小越好。 2.2.3 頻率特性 頻率特性指光電池相對輸出電流與光的調(diào)制頻率之間關(guān)系。從圖5中得知,硅、硒光電 池的頻率特性不同, 硅光電池有較好的頻率響應(yīng)。 在些測量系統(tǒng)中, 光電池作為接受器件, 測量調(diào)制光的輸入信號,所以高速計數(shù)器的轉(zhuǎn)換般采用硅光電池作為傳感器元件。 圖 5:光電池的頻率特性 2.3 光電池的應(yīng)用與發(fā)展 在能源形勢緊張和氣候變暖等嚴(yán)峻情況下, 世界各國都在尋求新的能源替代戰(zhàn)略來 解決困難。太陽能以其清潔、*、安全等顯著優(yōu)勢,成為關(guān)注焦點。但是從太陽能獲 3 得電力,需通過太陽能電池進(jìn)行光電變換來實現(xiàn)。因而對于光電池來說有較大的發(fā)展空間。 要使太陽能發(fā)電真正達(dá)到實用水平:是要提高太陽能光電變換效率并降低成本; 二 是要實現(xiàn)太陽能發(fā)電同現(xiàn)在的電網(wǎng)聯(lián)網(wǎng)。 目前,太陽能電池主要有單晶硅、多晶硅、非晶態(tài)硅三種。單晶硅太陽能電池變換效率 zui高,已達(dá)20%以上,但價格也zui貴;非晶態(tài)硅太陽電池變換效率zui低,但價格*, 旦它的大面積組件光電變換效率達(dá)到10%, 每瓦發(fā)電設(shè)備價格降到1~2美元時, 便足以廣 泛使用。 當(dāng)然, 特殊用途和實驗室中用的太陽能電池效率要高得多。 如美國波音公司開發(fā)的由砷 化鎵半導(dǎo)體同銻化鎵半導(dǎo)體重疊而成的太陽能電池, 光電變換效率可達(dá)36%, 目前也只能限 于在衛(wèi)星上使用。 由于太陽能產(chǎn)業(yè)的市場前景廣闊、 有良好的政策環(huán)境以及本身的特性, 使得其具有較高的投資價值和發(fā)展?jié)摿Α?3、結(jié)束語光電子應(yīng)用技術(shù)是門新興的高新技術(shù), 目前還處于發(fā)展期, 但它必將發(fā)展成為種新 興的知識經(jīng)濟(jì),從而在新興技術(shù)域形成巨大的力。 4
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